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英特爾東芝三星聯手開發10納米芯片技術

來源:搜狐IT 作者:張立美 責任編輯:admin 發表時間:2011-02-17 10:56 閱讀:
核心提示:據有關媒體報道,英特爾、東芝和三星電子將聯合開發10納米芯片技術。預計在2016年之前,把半導體線路寬度縮小到接近10納米。

據有關媒體報道,英特爾、東芝和三星電子將聯合開發10納米芯片技術。預計在2016年之前,把半導體線路寬度縮小到接近10納米。

三星電子和東芝是全球第一大和第二大NAND閃存芯片廠商。英特爾是全球最大的芯片廠商。這幾家公司很快將建立一個聯盟并且將邀請半導體材料和相關領域的大約10家公司加入這個聯盟。

日本日本經濟產業省可能會投入50億日元(6121億美元)研發資金,占這項研發計劃大約100億日元啟動資金的大約一半。其余的資金將來自于這個聯盟的成員公司。

東芝和三星電子計劃利用這種技術制造10納米級的NAND閃存芯片和其它芯片。英特爾將利用這個技術開發速度更快的微處理器。

(責任編輯:admin)

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